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AO3407

更新时间： 2024-11-20 08:30:59

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金誉半导体 - HTSEMI		/
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描述
30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

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AO3407 数据手册

AO3407

30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

V_DS= -30V

R_DS(ON), V_gs@-10V, I_ds@ 4.1A < 64.5m

Ω

R_DS(ON), V_gs@-4.5V, I_ds@-3.0A < 87m

Ω

Features

Advanced trench process technology

High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance

Package Dimensions

SOT-23-3L

Millimete

Millimeter

REF.

Min.

Max.

3.10

2.95

1.70

0.50

0.10

Min.

Max.

2.70

2.65

1.50

0.35

1.90 REF.

1.00

0.10

0.40

0.85

1.30

0.20

1.15

0.45

0.55

0°

10°

Maximum Ratings and Thermal Characteristics (TA = 25oC unless otherwise noted)

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Limit

Parameter

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

-30

5.3

I_DM

-20

TA = 25^oC

TA = 75^oC

1.4

Maximum Power Dissipation

P_D

Operating Junction and Storage Temperature Range

Junction-to-Ambient Thermal Resistance (PCB mounted)

T_J, T_stg

R_q_JA

-55 to 150

125

^oC

^oC/W

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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