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AO3405

更新时间： 2024-11-18 08:30:59

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美国万代 - AOS		晶体晶体管场效应晶体管
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描述
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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AO3405 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SOT-23, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	2.6 A
最大漏源导通电阻：	0.13 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	30 pF	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.4 W	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

AO3405 数据手册

AO3405

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

The AO3405 uses advanced trench technology to

provide excellent R_DS(ON)and low gate charge. This

device is suitable for use as a load switch or in PWM

applications. Standard Product AO3405 is Pb-free

(meets ROHS & Sony 259 specifications). AO3405L

is a Green Product ordering option. AO3405 and

AO3405L are electrically identical.

V_DS(V) = -30V

I_D= -2.6 A (V_GS= -10V)

_DS(ON)< 130mΩ (V_GS= -10V)

_DS(ON)< 180mΩ (V_GS= -4.5V)

TO-236

(SOT-23)

Top View

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Maximum

Units

V_DS

Drain-Source Voltage

-30

V_GS

Gate-Source Voltage

Continuous Drain

Current ^A

±12

-2.6

T_A=25°C

T_A=70°C

I_D

-2.2

Pulsed Drain Current ^B

I_DM

-30

T_A=25°C

T_A=70°C

1.4

P_D

Power Dissipation ^A

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

Thermal Characteristics

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient ^A

Maximum Junction-to-Lead ^C

Symbol

Typ

Max

Units

°C/W

t ≤ 10s

R_θJA

Steady-State

125

R_θJL

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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