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AO3406

更新时间： 2024-11-18 17:15:39

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SOT-23

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AO3406 数据手册

SHENZHEN HAOCHANG SEMICONDUCTOR CO.,LTD.

MOSFET

SOT-23 Plastic-Encapsulate MOSFETS

N-Channel MOSFET

AO3406

SOT-23

Unit: mm

+0.1

2.9

-0.1

+0.1

-0.1

0.4

■ Features

● V^{DS (V)}= 30V

● ID = 3.6 A (VGS = 10V)

● R^DS(ON)＜ 50mΩ (VGS = 10V)

● R^DS(ON)＜ 70mΩ (VGS = 4.5V)

+0.1

-0.1

+0.05

-0.01

0.95

0.1

+0.1

-0.1

1.9

1.Base

1. Gate

2.Emitter

2. Source

3. Drain

3.collector

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

Rating

Unit

Gate-Source Voltage

±20

3.6

2.9

TA=25℃

TA=70℃

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

1.4

0.9

TA=25℃

TA=70℃

t≤10s

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient

thJA

thJL

Steady-State

125

℃/W

℃

Thermal Resistance.Junction- to-Lead

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

stg

-55 to 150

浩畅半导体

RevK：M ay2014

www.szhaochang.cn

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