AO3404

更新时间： 2024-11-20 08:30:59

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美国万代 - AOS		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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4页	109K
描述
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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AO3404 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	GREEN PACKAGE-3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.8
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	0.031 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	50 pF
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AO3404 数据手册

AO3404

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

The AO3404 uses advanced trench technology to

provide excellent R_DS(ON)and low gate charge. This

device may be used as a load switch or in PWM

applications. Standard Product AO3404 is Pb-free

(meets ROHS & Sony 259 specifications). AO3404L

is a Green Product ordering option. AO3404 and

AO3404L are electrically identical.

V_DS(V) = 30V

I_D= 5.8A (V_GS= 10V)

_DS(ON)< 28mΩ (V_GS= 10V)

_DS(ON)< 43mΩ (V_GS= 4.5V)

TO-236

(SOT-23)

Top View

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Maximum

Units

V_DS

Drain-Source Voltage

V_GS

Gate-Source Voltage

Continuous Drain

Current ^A

±20

T_A=25°C

T_A=70°C

5.8

I_D

4.9

Pulsed Drain Current ^B

I_DM

1.4

T_A=25°C

T_A=70°C

P_D

Power Dissipation

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Typ

Max

Units

°C/W

t ≤ 10s

Maximum Junction-to-Ambient

R_θJA

Steady-State

125

R_θJL

Maximum Junction-to-Lead

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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