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AO3404

更新时间： 2024-11-21 17:15:51

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SOT-23-3

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AO3404 数据手册

SHENZHEN HAOCHANG SEMICONDUCTOR CO.,LTD.

SOT-23-3 Plastic-Encapsulate MOSFETS

SOT-23-3

Unit: mm

AO3404

N-Channel Enhancement MOSFET

+0.2

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

Features

VDS (V) = 30V

ID =5.8 A (VGS=10V)

RDS(ON)

28 m (VGS = 10V)

43 m (VGS = 4.5V)

+0.02

-0.02

+0.1

0.15

0.95

-0.1

+0.1

-0.2

1.9

1. Gate

2. Source

3. Drain

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain-Source Voltage

Symbol

Rating

Unit

Gate-Source Voltage

±20

5.8

4.9

Ta=25℃

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

Ta=100℃

IDM

1.4

Ta=25℃

Ta=70℃

t ≤ 5sec

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient

thJA

℃/W

℃

Steady State

125

Thermal Resistance.Junction- to-Lead

Junction Temperature

thJL

150

Storage Temperature Range

Tstg

-55 to 150

浩畅半导体

RevK：M ay2014

www.szhaochang.cn

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