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74V2G00CTR

更新时间： 2024-09-29 21:13:43

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		栅输入元件光电二极管逻辑集成电路触发器
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7页	125K
描述
74V SERIES, DUAL 2-INPUT NAND GATE, PDSO8, SOT-323, 8 PIN

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74V2G00CTR 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-70
包装说明：	TSSOP, TSSOP8,.09,20	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.82	系列：	74V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	长度：	2 mm
逻辑集成电路类型：	NAND GATE	最大I（ol）：	0.004 A
功能数量：	2	输入次数：	2
端子数量：	8	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP8,.09,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法：	TAPE AND REEL	电源：	2/6 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：	13 ns	传播延迟（tpd）：	13 ns
认证状态：	Not Qualified	施密特触发器：	NO
座面最大高度：	1.1 mm	子类别：	Gates
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	2 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	1.25 mm
Base Number Matches：	1

74V2G00CTR 数据手册

74V2G00

DUAL 2-INPUT NAND GATE

■

HIGH SPEED: t = 3.7ns (TYP.) at V = 5V

PD CC

LOW POWER DISSIPATION:

= 1µA(MAX.) at T = 25°C

■

HIGH NOISE IMMUNITY:

= V = 28% V (MIN.)

NIH

NIL

■

POWER DOWN PROTECTION ON INPUTS

SOT23-8L

SOT323-8L

SYMMETRICAL OUTPUT IMPEDANCE:

|I | = I = 8mA (MIN)

■

BALANCED PROPAGATION DELAYS:

ORDER CODES

PLH

PHL

PACKAGE

T & R

OPERATING VOLTAGE RANGE:

(OPR) = 2V to 5.5V

SOT23-8L

74V2G00STR

IMPROVED LATCH-UP IMMUNITY

The internal circuit is composed of 3 stages

including buffer output, which provide high noise

immunity and stable output.

DESCRIPTION

The V2G00 is an advanced high-speed CMOS

SINGLE 2-INPUT NAND GATE fabricated with

sub-micron silicon gate and double-layer metal

Power down protection is provided on all inputs

and 0 to 7V can be accepted on inputs with no

regard to the supply voltage. This device can be

used to interface 5V to 3V.

wiring C MOS tecnology.

PIN CONNECTION AND IEC LOGIC SYMBOLS

June 2003

1/7

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