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74V2G00STR

更新时间： 2024-11-03 22:11:47
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极触发器逻辑集成电路光电二极管输入元件
页数 文件大小 规格书
6页 46K
描述
DUAL 2-INPUT NAND GATE

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74V2G00STR 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：SOT-23, 8 PIN针数：8
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.81Is Samacsys：N
系列：74VJESD-30 代码：R-PDSO-G8
长度：2.9 mm逻辑集成电路类型：NAND GATE
最大I（ol）：0.004 A湿度敏感等级：1
功能数量：2输入次数：2
端子数量：8最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LSSOP封装等效代码：TSSOP8,.1
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法：TAPE AND REEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：2/6 VProp。Delay @ Nom-Sup：13 ns
传播延迟（tpd）：13 ns认证状态：Not Qualified
施密特触发器：NO座面最大高度：1.45 mm
子类别：Gates最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：2 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：OTHER端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：1.625 mm
Base Number Matches：1

74V2G00STR 数据手册

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74V2G00  
DUAL 2-INPUT NAND GATE  
■
■
HIGH SPEED:tPD =3.7ns (TYP.) atVCC = 5V  
LOW POWER DISSIPATION:  
I
CC =1 µA (MAX.) at TA =25 oC  
■
■
■
■
■
■
HIGH NOISEIMMUNITY:  
NIH = VNIL =28% VCC (MIN.)  
POWERDOWN PROTECTIONON INPUTS  
AND OUTPUTS  
SYMMETRICAL OUTPUT IMPEDANCE:  
|IOH| = IOL = 8 mA (MIN)  
BALANCEDPROPAGATIONDELAYS:  
tPLH tPHL  
V
SOT23-8L  
ORDER CODES  
PACKAGE  
TUBE  
T & R  
SOT23-8L  
74V2G00STR  
wiring C2MOS technology.  
The internal circuit is composed of 3 stages  
including buffer output, which provide high noise  
immunity and stable output.  
OPERATING VOLTAGERANGE:  
VCC (OPR)= 2V to 5.5V  
IMPROVED LATCH-UP IMMUNITY  
DESCRIPTION  
Power down protection is provided on all inputs  
and outputs and 0 to 7V can be accepted on  
inputs with no regard to the supply voltage. This  
device can be used to interface 5V to 3V.  
The 74V2G00 is an advanced high-speed CMOS  
DUAL 2-INPUT NAND GATE fabricated with  
sub-micron silicon gate and double-layer metal  
PIN CONNECTION AND IEC LOGIC SYMBOLS  
1/6  
June 2000  
123456

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74V2G00STR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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完全替代

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