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74V2G04STR

更新时间： 2024-09-30 23:15:55

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
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描述
TRIPLE INVERTER

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74V2G04STR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	LSSOP, TSSOP8,.1
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.81
系列：	74V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3	长度：	2.9 mm
负载电容（CL）：	50 pF	逻辑集成电路类型：	INVERTER
最大I（ol）：	0.004 A	湿度敏感等级：	1
功能数量：	3	输入次数：	1
端子数量：	8	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LSSOP	封装等效代码：	TSSOP8,.1
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法：	TAPE AND REEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2/5.5 V	Prop。Delay @ Nom-Sup：	11.5 ns
传播延迟（tpd）：	11.5 ns	认证状态：	Not Qualified
施密特触发器：	NO	座面最大高度：	1.45 mm
子类别：	Gates	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	2 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	MILITARY	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	1.625 mm

74V2G04STR 数据手册

74V2G04

TRIPLE INVERTER

■

HIGH SPEED: t = 3.8ns (TYP.) at V = 5V

PD CC

LOW POWER DISSIPATION:

= 1µA(MAX.) at T = 25°C

■

HIGH NOISE IMMUNITY:

= V = 28% V (MIN.)

NIH

NIL

■

POWER DOWN PROTECTION ON INPUT

SOT23-8L

SYMMETRICAL OUTPUT IMPEDANCE:

|I | = I = 8mA (MIN) at V = 4.5V

■

BALANCED PROPAGATION DELAYS:

ORDER CODES

PACKAGE

PLH

PHL

T & R

OPERATING VOLTAGE RANGE:

(OPR) = 2V to 5.5V

SOT23-8L

74V2G04STR

IMPROVED LATCH-UP IMMUNITY

The internal circuit is composed of 3 stages

including buffer output, which provide high noise

immunity and stable output.

DESCRIPTION

The 74V2G04 is an advanced high-speed CMOS

TRIPLE INVERTER fabricated with sub-micron

silicon gate and double-layer metal wiring C MOS

Power down protection is provided on input and 0

to 7V can be accepted on input with no regard to

the supply voltage. This device can be used to

interface 5V to 3V.

technology.

PIN CONNECTION AND IEC LOGIC SYMBOLS

June 2003

1/7

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