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2SK4143-S17-AY

更新时间： 2024-11-16 03:56:43

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET

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2SK4143-S17-AY 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	LEAD FREE, MP-45F, ISOLATED TO-220, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.71	雪崩能效等级（Eas）：	22.5 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.078 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK4143-S17-AY 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK4143

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

The 2SK4143 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications.

FEATURES

• Low on-state resistance

R^DS(on)1= 44 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 10 A)

R^DS(on)2= 78 mΩ MAX. (VGS = 4.0 V, ID = 10 A)

• Low input capacitance

C^iss= 820 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

LEAD PLATING

Pure Sn (Tin)

PACKING

PACKAGE

2SK4143-S17-AY ^Note

Tube 50 p/tube

Isolated TO-220 typ. 2.2 g

Note Pb-free (This product does not contain Pb in the external electrode).

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (TC = 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)

I^D(pulse)

PT1

(Isolated TO-220)

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

°C

PT2

2.0

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

−55 to +150

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

22.5

Notes 1. PW ≤ 10 μs, Duty Cycle ≤ 1%

2. T^ch≤ 150°C, VDD = 30 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V, L = 100 μH

THERMAL RESISTANCE

Channel to Case Thermal Resistance

Channel to Ambient Thermal Resistance

Rth(ch-C)

6.25

62.5

°C/W

R^th(ch-A)

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Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D18772EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published May 2007 NS

Printed in Japan

2007

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SK4144-S12-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.0073ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2SK4145-S19-AY	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 60V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2SK4146	RENESAS	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK4146-S19-AY	RENESAS	获取价格	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK4147	RENESAS	获取价格	Old Company Name in Catalogs and Other Documents
2SK4147-T1B-AT	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2SK4147-T2B-AT	RENESAS	获取价格	500mA, 250V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, MINIMOLD, SC-96, 3 PIN
2SK4147-T2B-AT	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2SK415	HITACHI	获取价格	HIGH SPEED POWER SWITCHING

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