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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK416S | HITACHI |
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HIGH SPPED POWER SWITCHING Complementary pair with 2SJ120L,2SJ120S |
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| 2SK417 | TOSHIBA |
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2SK417 |
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| 2SK4171 | SANYO |
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N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
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| 2SK4171 | ONSEMI |
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Power MOSFET 60 V, 100 A, 7.2 mOhm Single N-Channel |
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| 2SK4174 | PANASONIC |
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Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-ox |
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| 2SK4177 | SANYO |
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N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
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| 2SK4177_12 | SANYO |
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General-Purpose Switching Device Applications |
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| 2SK4177-DL-1E | ONSEMI |
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N 沟道功率 MOSFET，1500V，2A，13Ω，TO-263-2L |
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| 2SK4177-DL-E | SANYO |
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General-Purpose Switching Device Applications |
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| 2SK4178 | NEC |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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