5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK4171 | SANYO |
获取价格 |
N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
|
| 2SK4171 | ONSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET 60 V, 100 A, 7.2 mOhm Single N-Channel |
|
| 2SK4174 | PANASONIC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-ox |
|
| 2SK4177 | SANYO |
获取价格 |
N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
|
| 2SK4177_12 | SANYO |
获取价格 |
General-Purpose Switching Device Applications |
|
| 2SK4177-DL-1E | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道功率 MOSFET，1500V，2A，13Ω，TO-263-2L |
|
| 2SK4177-DL-E | SANYO |
获取价格 |
General-Purpose Switching Device Applications |
|
| 2SK4178 | NEC |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
|
| 2SK4178(1)-S27-AY | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| 2SK4178-S27-AY | NEC |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
