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2SK4177-DL-1E

更新时间： 2023-09-03 20:39:25

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安森美 - ONSEMI		/
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7页	291K
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N 沟道功率 MOSFET，1500V，2A，13Ω，TO-263-2L

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2SK4177-DL-1E 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	19 weeks	风险等级：	7.13
雪崩能效等级（Eas）：	41 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2 A	最大漏极电流 (ID)：	2 A
最大漏源导通电阻：	13 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	80 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	4 A
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK4177-DL-1E 数据手册

Ordering number : ENA0869A

2SK4177

N-Channel Power MOSFET

http://onsemi.com

1500V, 2A, 13 , TO-263-2L

Features

•

ON-resistance R (on)=10 (typ.)

10V drive

Input capacitance Ciss=380pF (typ.)

•

Speciﬁcations

at Ta=25°C

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

Drain Current (DC)

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

1500

±20

DSS

GSS

Drain Current (Pulse)

PW 10 s, duty cycle 1%

≤

Allowable Power Dissipation

Channel Temperature

Tc=25°C

°C

Tch

150

Storage Temperature

Tstg

--55 to +150

Avalanche Energy (Single Pulse) *1

Avalanche Current *2

Note : 1 V =50V, L=20mH, I =2A (Fig.1)

2 L 20mH, single pulse

≤

Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating

Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.

Product & Package Information

Package Dimensions

unit : mm (typ)

• Package

: TO-263-2L

7535-001

• JEITA, JEDEC

: SC-83, TO-263

• Minimum Packing Quantity : 800 pcs./reel

2SK4177-DL-1E

Packing Type: DL

Marking

4.5

10.0

8.0

1.3

K4177

5.3

LOT No.

0.254

0.5

1.27

0.8

Electrical Connection

2.54

2, 4

1 : Gate

2 : Drain

3 : Source

4 : Drain

TO-263-2L

Semiconductor Components Industries, LLC, 2013

July, 2013

D0512 TKIM TC-00002833/31208QB TIIM TC-00001270 No. A0869-1/7

12 3 4 5 6 7

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