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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 19 weeks | 风险等级： | 7.13 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 41 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 13 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 80 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 4 A |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK4177-DL-E | SANYO |
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General-Purpose Switching Device Applications |
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| 2SK4178 | NEC |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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| 2SK4178(1)-S27-AY | NEC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| 2SK4178-S27-AY | NEC |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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| 2SK4178-ZK-E1-AY | NEC |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
|
| 2SK4178-ZK-E2-AY | NEC |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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| 2SK4179 | SANYO |
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N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
|
| 2SK4179GS | SANYO |
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General-Purpose Switching Device Applications |
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| 2SK418 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220VAR |
|
| 2SK4181 | SANYO |
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N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
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