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2SK4174

更新时间： 2024-11-16 20:09:55

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	350K
描述
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 0.052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220D-A1, 3 PIN

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2SK4174 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	雪崩能效等级（Eas）：	216 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大漏极电流 (ID)：	28 A	最大漏源导通电阻：	0.052 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	130 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK4174 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Power MOS FETs

2SK4174

Silicon N-channel enhancement MOS FET

For high speed switching circuits

 Features

 Package

 Gate-source surrender voltage V_GSS: ±25 V guaranteed

 Avalanche energy capability guaranteed: EAS > 216 mJ

 High-speed switching: t_f= 90 ns (typ.)

ꢀCode

TO-220D-A1

ꢀPin Name

1: Gate

 Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

2: Drain

3: Source

Parameter

Drain-source surrender voltage

Gate-source surrender voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Rating

110

Unit

 Marking Symbol: K4174

±25

±28

 Internal Connection

Peak drain current ^*

I_DP

±130

216

Avalanche energy capability

Avalanche energy capability ^*

EAS

EAR

°C

Drain power dissipation

P_D

T_j

T = 25°C

2.0

Junction temperature

Storage temperature

150

stg

–55 to +150

Note) : Assurance of repetitive pulse. (Repetitive period ≤ 5 ms on-duty ≤ 20%)

But, it must stay within 40% of all that the time impressed pulse repetitively.

5.0 s, On-duty 20%

µ ≤

≤

 Electrical Characteristics T_C= 25°C±3°C

Parameter

Drain-source surrender voltage

Drain-source cutoff current

Gate-source cutoff current

Gate threshold voltage

Symbol

Conditions

I_D= 1 mA, V_GS= 0

Min

Typ

Max

Unit

V_DSS

I_DSS

I_GSS

V_th

110

V_DS= 88 V, V_GS= 0

V_GS= ±25 V, V_DS= 0

V_DS= 10 V, I_D= 1.0 mA

1.0

±1.0

4.0

2.0

Drain-source ON resistance

Forward transfer conductance

Short-circuit inputcapacitance(Commonsource)

Short-circuitoutputcapacitance(Commonsource)

Reverse transfer capacitance (Common source)

Turn-on delay time

R_DS(on)V_GS= 10 V, I_D= 14.0A

V_DS= 10 V, I_D= 14.0A

Y_fs

C_iss

C_oss

C_rss

t_d(on)

t_r

1500

500

180

V_DS= 10 V, V_GS= 0, f = 1 MHz

Rise time

V_DD= 30 V, I_D= 14.0A

R_L≈ 2.2 W, V_GS= 10 V

Turn-off delay time

t_d(off)

t_f

150

Fall time

Publication date: February 2009

SJG00045AED

12 3 4

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