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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SC-96 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.95 | 风险等级： | 5.34 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 250 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.5 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK415 | HITACHI |
获取价格 |
HIGH SPEED POWER SWITCHING |
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| 2SK4150 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK4150TZ-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK4151 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK4151TZ-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
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| 2SK416 | HITACHI |
获取价格 |
HIGH SPPED POWER SWITCHING Complementary pair with 2SJ120L,2SJ120S |
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| 2SK4161D | SANKEN |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| 2SK4164 | SANYO |
获取价格 |
N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
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| 2SK416L | HITACHI |
获取价格 |
HIGH SPPED POWER SWITCHING Complementary pair with 2SJ120L,2SJ120S |
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| 2SK416S | HITACHI |
获取价格 |
HIGH SPPED POWER SWITCHING Complementary pair with 2SJ120L,2SJ120S |
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