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2SK4150TZ-E

更新时间： 2024-11-16 06:25:59

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瑞萨 - RENESAS		晶体开关小信号场效应晶体管电源开关
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7页	82K
描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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2SK4150TZ-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-92(1)
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	250 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.4 A
最大漏极电流 (ID)：	0.4 A	最大漏源导通电阻：	5.9 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.75 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK4150TZ-E 数据手册

Preliminary Datasheet

2SK4150

Silicon N Channel MOS FET

High Speed Power Switching

REJ03G1909-0300

Rev.3.00

May 27, 2010

Features



Capable of 2.5 V gate drive

Low drive current

Low on-resistance

R_DS(on)= 4.0  typ. (at I_D= 0.2 A, V_GS= 4 V, Ta = 25°C)

Outline

RENESAS Package code: PRSS0003DA-A

(Package name: TO-92(1))

1. Source

2. Drain

3. Gate

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to source voltage

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Ratings

250

Unit

Gate to source voltage

±10

Drain current

0.4

Note1

Drain peak current

I_{D (pulse)}

I_DR

1.6

Body-drain diode reverse drain current

Body-drain diode reverse drain peak current

Channel dissipation

0.4

Note1

I_{DR (pulse)}

Pch

1.6

0.75

Channel to ambient thermal impedance

Channel temperature

_ch-a

166.7

150

C/W

C

Tch

Storage temperature

Tstg

–55 to +150

Notes: 1. PW  10 s, duty cycle  1%

REJ03G1909-0300 Rev.3.00

May 27, 2010

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK4151	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK4151TZ-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK416	HITACHI	获取价格	HIGH SPPED POWER SWITCHING Complementary pair with 2SJ120L,2SJ120S
2SK4161D	SANKEN	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
2SK4164	SANYO	获取价格	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
2SK416L	HITACHI	获取价格	HIGH SPPED POWER SWITCHING Complementary pair with 2SJ120L,2SJ120S
2SK416S	HITACHI	获取价格	HIGH SPPED POWER SWITCHING Complementary pair with 2SJ120L,2SJ120S
2SK417	TOSHIBA	获取价格	2SK417
2SK4171	SANYO	获取价格	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
2SK4171	ONSEMI	获取价格	Power MOSFET 60 V, 100 A, 7.2 mOhm Single N-Channel

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