是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.21.00.95 |
风险等级: | 5.84 | 配置: | SINGLE |
最小漏源击穿电压: | 50 V | 最大漏极电流 (ID): | 0.1 A |
最大漏源导通电阻: | 15 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F3 | JESD-609代码: | e6 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
端子形式: | FLAT | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK3547 | PANASONIC |
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Silicon n-channel MOSFET | |
2SK3547G | PANASONIC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junct | |
2SK3549-01 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK355 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-3 | |
2SK3550-01R | FUJI |
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Power MOSFET SuperFAP-G series Target | |
2SK3550-01R_03 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK3554 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK3554-01 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK3554-01_03 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK3555-01MR | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |