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2SK3547G

更新时间： 2024-11-05 20:05:35

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	231K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, ROHS COMPLIANT, SSSMINI3-F2, 3 PIN

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2SK3547G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.83	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	50 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.1 A
最大漏极电流 (ID)：	0.1 A	最大漏源导通电阻：	15 Ω
FET 技术：	JUNCTION	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3547G 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Silicon Junction FETs (Small Signal)

2SK3547

Silicon N-channel MOSFET

Unit: mm

+0.05

–0.02

+0.05

0.33

0.10

–0.02

For switching

■ Features

• High-speed switching

• Wide frequency band

• Gate-protection diode built-in

+0.05

0.23

–0.02

(0.40)(0.40)

0.80 ^0.05

1.20 0.05

5˚

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Drain-source voltage

Symbol

V_DS

V_GSO

I_D

Rating

Unit

Gate-source voltage (Drain open)

Drain current

100

°C

1: Gate

2: Source

3: Drain

Peak drain current

I_DP

200

Power dissipation

P_D

100

SSSMini3-F1 Package

Channel temperature

Storage temperature

T_ch

125

Marking Symbol: 5F

T_stg

−55 to +125

°C

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Drain-source surrender voltage

Drain-source cutoff current

Gate-source cutoff current

Gate threshold voltage

Symbol

V_DSS

I_DSS

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

I_D= 10 µA, V_GS= 0

V_DS= 50 V, V_GS= 0

V_GS7 V, V_DS= 0

I_D= 1.0 µA, V_DS= 3 V

1.0

5.0

1.5

µA

I_GSS

V_th

0.9

1.2

Drain-source ON resistance

R_DS(on)I_D= 10 mA, V_GS= 2.5 V

I_D= 10 mA, V_GS= 4.0 V

Ω

Forward transfer admittance

Y_fs

I_D= 10 mA, V_DS= 3 V, f = 1 kHz

Short-circuit forward transfer capacitance

(Common-source)

C_iss

V_DS= 3 V, V_GS= 0, f = 1 MHz

Short-circuit output capacitance

(Common-source)

C_oss

V_DS= 3 V, V_GS= 0, f = 1 MHz

Reverse transfer capacitance (Common-source)

Turn-on time ^*

C_rss

t_on

V_DS= 3 V, V_GS= 0, f = 1 MHz

V_DD= 3 V, V_GS= 0 V to 3 V, R_L= 470 Ω

V_DD= 3 V, V_GS= 3 V to 0 V, R_L= 470 Ω

200

Turn-off time ^*

t_off

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : t_on, t_offtest circuit

^OUT470 Ω

90%

10%

V_IN

V_GS= 3.0 V

50 Ω

V_DD= 3 V

V_OUT

10%

90%

t_on

t_off

Publication date: April 2005

SJF00038BED

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3549-01	FUJI	获取价格	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK355	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 12A I(D) \| TO-3
2SK3550-01R	FUJI	获取价格	Power MOSFET SuperFAP-G series Target
2SK3550-01R_03	FUJI	获取价格	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3554	FUJI	获取价格	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3554-01	FUJI	获取价格	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3554-01_03	FUJI	获取价格	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3555-01MR	FUJI	获取价格	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3556	FUJI	获取价格	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3556-01L	FUJI	获取价格	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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