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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3549-01
2SK3549-01 PDF预览

2SK3549-01

更新时间： 2024-11-05 07:32:35
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 126K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3549-01 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-247
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.84Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：330 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：900 V最大漏极电流 (ID)：10 A
最大漏源导通电阻：1.4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3549-01 数据手册

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2SK3549-01  
200401  
FUJI POWER MOSFET  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings [mm]  
Super FAP-G Series  
Features  
11.6±0.2  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
900  
Unit  
V
Drain-source voltage  
Equivalent circuit schematic  
V
VDSX *5  
ID  
900  
±10  
±40  
±30  
10  
A
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
A
ID(puls]  
VGS  
Drain(D)  
V
Gate-source voltage  
A
Repetitive or non-repetitive  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
IAR  
*2  
*1  
mJ  
kV/µs  
kV/µs  
W
EAS  
330  
40  
dVDS/dt *4  
dV/dt  
Gate(G)  
*3  
5
Source(S)  
°C  
°C  
PD Ta=25  
Tc=25  
Tch  
2.50  
270  
+150  
-55 to +150  
Operating and storage  
temperature range  
°C  
°C  
Tstg  
<
*1 L=6.06mH, Vcc=90V,Tch=25°C, See to Avalanche Energy Graph *2 Tch 150°C  
=
<
<
<
<
*4 VDS 900V *5 VGS=-30V  
*3 IF -ID, -di/dt=50A/µs, Vcc BVDSS, Tch 150°C  
=
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Item  
Test Conditions  
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
µ
V
ID= 250 A  
VGS=0V  
900  
µ
V
ID= 250 A  
VDS=VGS  
3.0  
5.0  
25  
µA  
VDS=900V VGS=0V  
Tch=25°C  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
100  
VDS=720V VGS=0V  
VGS=±30V  
VDS=0V  
ID=5A VGS=10V  
ID=5A VDS=25V  
VDS=25V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
nA  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
Ω
1.08  
1.40  
S
6
12  
1250  
160  
12  
Ciss  
pF  
1900  
240  
18  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
Output capacitance  
VGS=0V  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
f=1MHz  
VCC=600V ID=5A  
ns  
26  
39  
VGS=10V  
23  
35  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
60  
90  
RGS=10 Ω  
17  
26  
QG  
34.5  
52  
nC  
Total Gate Charge  
VCC=450V  
ID=10A  
QGS  
QGD  
IAV  
5
7.5  
18  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
12  
VGS=10V  
10  
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
L=6.06mH Tch=25°C  
VSD  
trr  
Qrr  
0.90  
1.50  
V
IF=10A VGS=0V Tch=25°C  
IF=10A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
3.1  
µs  
µC  
17.0  
Tch=25°C  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
0.463  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
50.0  
°C/W  
1
1234

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