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2SK3556

更新时间： 2024-11-05 22:52:59
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富士电机 - FUJI /
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4页 133K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3556 数据手册

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2SK3556-01L,S,SJ  
FUJI POWER MOSFET  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings  
Super FAP-G Series  
Features  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
P4  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
250  
Unit  
V
Drain-source voltage  
VDSX *5  
ID  
220  
±25  
±100  
±30  
25  
V
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
A
Equivalent circuit schematic  
ID(puls]  
VGS  
A
Gate-source voltage  
V
Repetitive or non-repetitive  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
IAR *2  
Drain(D)  
A
EAS*1  
372  
20  
mJ  
kV/µs  
kV/µs  
W
dVDS/dt *4  
dV/dt *3  
PD Ta=25  
Tc=25  
Tch  
5
°C  
°C  
2.02  
Gate(G)  
135  
Source(S)  
Operating and storage  
temperature range  
+150  
-55 to +150  
°C  
°C  
<
Tstg  
<
<
<
*1 L=0.67mH, Vcc=48V *2 Tch=150°C *3 IF=-ID, -di/dt=50A/µs, Vcc=BVDSS, Tch=150°C  
<
*4 VDS 250V *5 VGS=-30V *6 t=60sec f=60Hz  
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Test Conditions  
Item  
µ
ID=250 A  
VGS=0V  
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
V
250  
µ
ID= 250 A  
VDS=VGS  
V
3.0  
5.0  
25  
Tch=25°C  
µA  
VDS=250V VGS=0V  
VDS=200V VGS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
100  
100  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
VDS=0V  
nA  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
VGS=±30V  
10  
75  
ID=12.5A  
VGS=10V  
mΩ  
S
8
16  
ID=12.5A VDS=25V  
VDS=75V  
Ciss  
pF  
2000  
220  
15  
3000  
330  
30  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
VGS=0V  
Output capacitance  
f=1MHz  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
ns  
VCC=72V ID=12.5A  
VGS=10V  
20  
30  
30  
45  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
60  
90  
RGS=10 Ω  
20  
30  
QG  
QGS  
QGD  
IAV  
VCC=72V  
ID=12A  
nC  
Total Gate Charge  
44  
66  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
14  
21  
VGS=10V  
16  
24  
µ
L=100 H Tch=25°C  
25  
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
VSD  
trr  
Qrr  
IF=25A VGS=0V Tch=25°C  
IF=25A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
1.10  
1.65  
V
0.45  
1.5  
µs  
µC  
Tch=25°C  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
0.926  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
62.0  
°C/W  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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