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2SK3561

更新时间： 2024-09-12 21:54:15
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 228K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (MOSVI)

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2SK3561 技术参数

生命周期：Lifetime Buy零件包装代码：SC-67
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.34
雪崩能效等级（Eas）：312 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.85 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：32 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3561 数据手册

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2SK3561  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI)  
2SK3561  
Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
Low drain-source ON resistance: R  
= 0.75Ω (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 6.5S (typ.)  
fs  
= 100 μA (V  
Low leakage current: I  
= 500 V)  
DSS  
DS  
Enhancement mode: V = 2.0~4.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
th  
DS  
D
Maximum Ratings  
=
(Ta 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-source voltage  
V
500  
500  
±30  
8
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
= 20 kΩ)  
V
DGR  
GS  
Gate-source voltage  
V
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulse (t = 1 ms)  
I
32  
40  
DP  
(Note 1)  
1: Gate  
2: Drain  
3: Source  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
W
D
AS  
AR  
Single pulse avalanche energy  
E
312  
mJ  
(Note 2)  
Avalanche current  
I
8
4
A
JEDEC  
JEITA  
―
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
SC-67  
2-10U1B  
Weight : 1.7 g (typ.)  
T
150  
ch  
TOSHIBA  
Storage temperature range  
T
-55~150  
stg  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
2
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
R
3.125  
62.5  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
th (ch-a)  
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150℃.  
Note 2:  
= 90 V, T = 25°C(initial), L = 8.3 mH, I = 8 A, R = 25 Ω  
V
DD  
1
ch  
AR  
G
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Please handle with caution.  
3
1
2005-01-26  
123456

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