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2SK3564

更新时间： 2024-10-29 21:53:27
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
3页 96K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOS4)

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2SK3564 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-67
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.34Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：408 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：900 V
最大漏极电流 (ID)：3 A最大漏源导通电阻：4.3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：9 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3564 数据手册

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TENTATIVE  
2SK3564  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSIV)  
2SK3564  
unit：ｍｍ  
Switching Regulator Applications  
10±0.3  
2.7±0.2  
φ3.2±0.2  
•
•
•
•
Low drain-source ON resistance: R = 3.7Ω (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 2.6 S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
= 100 μA (V  
= 720 V)  
DSS  
DS  
DS  
Enhancement-mode: V = 2.0~4.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
1.1  
1.1  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
0.69±0.15  
2.54±0.25  
Drain-source voltage  
V
900  
900  
±30  
3
V
V
V
DSS  
DGR  
GSS  
2.54±0.25  
Drain-gate voltage (R  
= 20 kΩ)  
V
V
GS  
Gate-source voltage  
1 2 3  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulse (t = 1 ms)  
I
9
DP  
(Note 1)  
1. Gate  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
2. Drain  
3. Source  
P
40  
W
D
AS  
AR  
Single pulse avalanche energy  
E
TBD  
mJ  
(Note 2)  
Avalanche current  
I
3
4.0  
A
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
JEDEC  
―
―
―
T
150  
ch  
Storage temperature range  
T
-55~150  
stg  
JEITA  
TOSHIBA  
Thermal Characteristics  
2
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
R
3.125  
62.5  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
th (ch-a)  
Note 1: Please use devices on conditions that the channel temperature is below 150°C.  
Note 2: V = 90 V, T = 25°C, L = TBD mH, I = 3.0 A, R = 25 Ω  
1
DD ch  
AR  
G
Note 3: Repetitive rating: Pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.  
3
1
2003-02-14  
123

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