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2SK3570

更新时间： 2024-02-18 00:14:04

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TYSEMI		晶体驱动器栅极晶体管开关脉冲局域网
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1页	84K
描述
4.5V drive available. Low on-state resistance, RDS(on)1 = 12 m MAX Low gate charge

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2SK3570 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	MP-25ZK, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.68	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	48 A	最大漏源导通电阻：	0.012 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3570 数据手册

SSMMDD TTyyppee

TraMnOsiSstFIoCErsT

Product specification

2SK3570

TO-263

Unit: mm

Features

+0.2

4.57

-0.2

+0.1

1.27

-0.1

4.5V drive available.

Low on-state resistance,

R^DS(on)1= 12 m MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 24 A)

Low gate charge

+0.1

-0.1

0.1max

1.27

Q^G= 23 nC TYP. (V^DD= 16 V, V^GS= 10 V, I^D= 48 A)

Built-in gate protection diode

Surface mount device available

+0.1

0.81

-0.1

2.54

1 Gate

+0.2

2.54

-0.2

+0.1

5.08

-0.1

+0.2

0.4

-0.2

2 Drain

3 Source

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain to source voltage

Symbol

V^DSS

V^GSS

I^D

Rating

Unit

Gate to source voltage

Drain current

I^dp*

160

Power dissipation

T^C=25

T^A=25

P^D

1.5

150

Channel temperature

Storage temperature

T^ch

T^stg

-55 to +150

* PW 10 s,Duty Cycle 1%

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Drain cut-off current

Symbol

I^DSS

Testconditons

Min

Typ

Max

Unit

V^DS=20V,V^GS=0

V^GS= 20V,V^DS=0

V^DS=10V,I^D=1mA

VDS=10V,ID=24A

V^GS=10V,I^D=24A

V^GS=4.5V,I^D=15A

Gate leakage current

Gate cut off voltage

I^GSS

V^GS(off)

1.5

8.0

2.5

Forward transfer admittance

Y^fs

R^DS(on)1

R^DS(on)2

C^iss

Coss

C^rss

t^on

8.2

12.3

930

360

250

Drain to source on-state resistance

Input capacitance

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

V^DS=10V,VGS=0,f=1MHZ

t^r

I^D=24A,V^GS(on)=10V,R^G=10 ,V^DD=10V

Turn-off delay time

Fall time

t^off

Total Gate Charge

Gate to Source Charge

Gate to Drain Charge

Q^G

V^DD= 16 V

V^GS= 10 V

I^D= 48 A

Q^GS

Q^GD

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

1 of 1

4008-318-123

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