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2SK3566

更新时间： 2024-01-10 08:59:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体稳压器开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 249K
描述
Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications

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2SK3566 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SC-67
包装说明：2-10U1B, SC-67, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.22
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：216 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：900 V最大漏极电流 (ID)：2.5 A
最大漏源导通电阻：6.4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：7.5 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3566 数据手册

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2SK3566  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSIV)  
2SK3566  
Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
Low drain-source ON resistance: R  
High forward transfer admittance: |Y | = 2.0 S (typ.)  
= 5.6Ω (typ.)  
DS (ON)  
fs  
Low leakage current: I  
= 100 μA (V  
= 720 V)  
DS  
DSS  
Enhancement-mode: V = 2.0~4.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
900  
900  
±30  
2.5  
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
1: Gate  
2: Drain  
3: Source  
Drain current  
A
Pulse (t = 1 ms)  
I
7.5  
40  
DP  
(Note 1)  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
W
D
AS  
AR  
Single pulse avalanche energy  
E
216  
mJ  
JEDEC  
JEITA  
―
(Note 2)  
SC-67  
2-10U1B  
Weight : 1.7 g (typ.)  
Avalanche current  
I
2.5  
4
A
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
TOSHIBA  
AR  
T
150  
ch  
Storage temperature range  
T
-55~150  
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and  
Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
2
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
3.125  
62.5  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
R
th (ch-a)  
1
Note 1: Please use devices on conditions that the channel temperature is below 150°C.  
Note 2: = 90 V, T = 25°C, L = 63.4 mH, I = 2.5 A, R = 25 Ω  
V
DD  
ch  
AR  
G
3
Note 3: Repetitive rating: Pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.  
1
2006-11-10  
123456

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