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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-263 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.29 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 48 A | 最大漏极电流 (ID)： | 48 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.012 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 29 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 160 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3571 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2SK3571 | KEXIN |
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MOS Field Effect Transistor |
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| 2SK3571 | TYSEMI |
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4.5V drive available. Low on-state resistance, RDS(on)1 = 9m MAX. Low gate charge |
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| 2SK3571-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,48A I(D),TO-220AB |
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| 2SK3571-S | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2SK3571-Z | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2SK3571-ZK | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2SK3571-ZK-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2SK3572 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2SK3572 | KEXIN |
获取价格 |
MOS Field Effect Transistor |
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