2SK3573-S

更新时间： 2024-09-15 22:17:35

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	79K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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2SK3573-S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FIN CUT, MP-25, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	83 A
最大漏源导通电阻：	0.006 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-262	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	332 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3573-S 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3573

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

★

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

The 2SK3573 is N-channel MOS FET device that features a

low on-state resistance and excellent switching characteristics,

designed for low voltage high current applications such as

DC/DC converter with synchronous rectifier.

PART NUMBER

2SK3573

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SK3573-S

2SK3573-ZK

2SK3573-Z

TO-263

TO-220SMD ^Note

FEATURES

Note TO-220SMD package is produced only in Japan.

• 4.5 V drive available

• Low on-state resistance

R^DS(on)1= 4.0 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 42 A)

• Low gate charge

Q^G= 68 nC TYP. (V^DD= 16 V, V^GS= 10 V, I^D= 83 A)

• Surface mount device available

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T1

±20

±83

±332

1.5

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Channel Temperature

°C

P^T2

105

150

T^ch

Storage Temperature

T^stg

–55 to +150

°C

Note PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16259EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published September 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark ★ shows major revised points.

2002

12 3 4 5 6 7 8

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与2SK3573-S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3573-Z	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3573-ZK	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3573-ZK-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 20V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK3573-ZK-AZ	RENESAS	获取价格	83A, 20V, 0.006ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263, MP-25ZK, 3 PIN
2SK3573-ZK-E1-AY	RENESAS	获取价格	2SK3573-ZK-E1-AY
2SK3574	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3574	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3574	TYSEMI	获取价格	4.5V drive available. Low on-state resistance,RDS(on)1 = 13.5m MAX Low gate charge
2SK3574-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,48A I(D),TO-220AB
2SK3574-S	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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