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2SK3575-ZK-AZ

更新时间： 2024-01-28 01:08:13

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	88K
描述
Power Field-Effect Transistor, 83A I(D), 30V, 0.0064ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, MP-25ZK, 3 PIN

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2SK3575-ZK-AZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-263	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.31	雪崩能效等级（Eas）：	325 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	83 A
最大漏源导通电阻：	0.0064 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e6	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	332 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3575-ZK-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3575

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

★ ORDERING INFORMATION

The 2SK3575 is N-channel MOS FET device that

features a low on-state resistance and excellent switching

characteristics, designed for low voltage high current

applications such as DC/DC converter with synchronous

rectifier.

PART NUMBER

2SK3575

PACKAGE

TO-220AB

2SK3575-S

2SK3575-ZK

2SK3575-Z

TO-262

TO-263

TO-220SMD^Note

FEATURES

Note TO-220SMD package is produced only in Japan.

•4.5V drive available

•Low on-state resistance

R^DS(on)1= 4.5 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 42 A)

•Low gate charge

Q^G= 70 nC TYP. (V^DD= 24 V, V^GS= 10 V, I^D= 83 A)

•Avalanche capability ratings

•Surface mount device available

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T1

±20

±83

Note1

±332

1.5

Drain Current (pulse)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Channel Temperature

°C

P^T2

105

Tch

150

Storage Temperature

Tstg

–55 to +150

Note2

I^AS

Single Avalanche Current

Note2

E^AS

325

Single Avalanche Energy

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, V^DD= 15 V, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 → 0 V

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16261EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published September 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark ! shows major revised points.

2002

12 3 4 5 6 7 8

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与2SK3575-ZK-AZ相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK3576	RENESAS	4000mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-96, 3 PIN	获取价格
2SK3576	NEC	N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING	获取价格
2SK3576-A	RENESAS	4000mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-96, 3 PIN	获取价格
2SK3576-L	RENESAS	2SK3576-L	获取价格
2SK3576-L-AT	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,4A I(D),SOT-346	获取价格
2SK3576-T1B	RENESAS	暂无描述	获取价格

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