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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.89 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 250 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3580-01MR | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3580-01MR_03 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3581-01L | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3581-01S | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3581-01SJ | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3582MFV-A | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 0.34 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, 2-1L1C, 3 PIN, FET General Purpose |
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| 2SK3582MFV-B | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SK3582TK | TOSHIBA |
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Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type For ECM |
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| 2SK3582TK-A | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.34 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, LEAD FREE, 2-1R1A, TESM3, 3 PIN, FE |
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| 2SK3582TK-B | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 0.34 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, LEAD FREE, 2-1R1A, TESM3, 3 PIN, FE |
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