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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.28 |
| 配置： | SINGLE | 最大漏极电流 (ID)： | 0.00034 A |
| FET 技术： | JUNCTION | JESD-30 代码： | R-PDSO-F3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3582MFV-B | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SK3582TK | TOSHIBA |
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Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type For ECM |
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| 2SK3582TK-A | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 0.34 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, LEAD FREE, 2-1R1A, TESM3, 3 PIN, FE |
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| 2SK3582TK-B | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 0.34 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, LEAD FREE, 2-1R1A, TESM3, 3 PIN, FE |
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| 2SK3582TV | TOSHIBA |
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Silicon N Channel Junction Type For ECM |
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| 2SK3582TV-A | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 0.34 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, 2-1H1A, VESM2, 3 PIN, FET General P |
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| 2SK3582TV-B | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 0.34 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, 2-1H1A, VESM2, 3 PIN, FET General P |
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| 2SK3585G | PANASONIC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.00046A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Juncti |
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| 2SK3586 | FUJI |
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N CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK3586-01 | FUJI |
获取价格 |
N CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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