生命周期: | Obsolete | 包装说明: | CHIP CARRIER, S-XBCC-N4 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.84 | 雪崩能效等级(Eas): | 319.2 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 6.9 A |
最大漏极电流 (ID): | 6.9 A | 最大漏源导通电阻: | 0.025 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | S-XBCC-N4 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 4 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | CHIP CARRIER | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 135 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 292 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | BOTTOM | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK3589-01_03 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
![]() |
2SK359 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
![]() |
2SK3590-01 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
![]() |
2SK3591 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
![]() |
2SK3591-01MR | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
![]() |
2SK3591-01MR_03 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
![]() |
2SK3592-01L | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
![]() |
2SK3592-01S | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
![]() |
2SK3592-01SJ | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
![]() |
2SK3593-01 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
![]() |