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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3588-01L
2SK3588-01L PDF预览

2SK3588-01L

更新时间： 2024-01-31 03:43:31
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
4页 113K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3588-01L 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.83Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：319.2 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A最大漏极电流 (ID)：73 A
最大漏源导通电阻：0.025 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：135 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：292 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3588-01L 数据手册

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2SK3588-01L,S,SJ  
FUJI POWER MOSFET  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings  
Super FAP-G Series  
Features  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
P4  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
100  
Unit  
V
Drain-source voltage  
VDSX *5  
ID  
70  
±50  
±200  
±30  
50  
V
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
Gate-source voltage  
A
Equivalent circuit schematic  
ID(puls]  
VGS  
A
V
Non-repetitive Avalanche current IAS *2  
A
Drain(D)  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
EAS *1  
dVDS/dt *4  
dV/dt *3  
PD Ta=25  
Tc=25  
Tch  
465  
20  
mJ  
kV/µs  
kV/µs  
W
5
°C  
°C  
1.67  
Gate(G)  
135  
+150  
-55 to +150  
Operating and storage  
temperature range  
°C  
°C  
Source(S)  
Tstg  
<
<
<
<
*1 L=223µH, Vcc=48V  
*2 Tch 150°C *3 IF -ID, -di/dt=50A/µs, Vcc BVDSS, Tch 150°C  
=
=
=
=
<
*5 VGS=-30V  
*4 VDS  
100V  
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Item  
Test Conditions  
µ
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
V
ID= 250 A  
VGS=0V  
VDS=VGS  
100  
µ
V
3.0  
5.0  
25  
ID= 250 A  
µA  
Tch=25°C  
VDS=100V VGS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
250  
100  
25  
Tch=125°C  
VDS=80V VGS=0V  
VGS=±30V  
VDS=0V  
ID=25A VGS=10V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
nA  
10  
19  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
mΩ  
S
15  
30  
ID=25A VDS=25V  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
1830  
460  
38  
2745  
690  
57  
pF  
VDS=75V  
Output capacitance  
VGS=0V  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
f=1MHz  
VCC=48V ID=25A  
ns  
20  
30  
35  
53  
VGS=10V  
50  
75  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
23  
35  
52  
78  
QG  
nC  
Total Gate Charge  
VCC=50V  
16  
24  
QGS  
QGD  
IAV  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
ID=50A  
18  
27  
VGS=10V  
50  
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
L=100µH Tch=25°C  
1.10  
1.65  
VSD  
V
IF=50A VGS=0V Tch=25°C  
IF=50A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
0.1  
0.4  
trr  
Qrr  
µs  
µC  
Thermalcharacteristics  
Item  
Symbol  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Rth(ch-c)  
channel to case  
0.926  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
75.0  
°C/W  
www.fujielectric.co.jp/denshi/scd  
1
1234

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