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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3593-01
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2SK3593-01

更新时间： 2024-01-12 07:32:18
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
4页 106K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3593-01 技术参数

生命周期：Active包装说明：TFP, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：387 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.4 A
最大漏极电流 (ID)：40 A最大漏源导通电阻：0.041 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-XBCC-N4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：CHIP CARRIER极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：135 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3593-01 数据手册

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2SK3593-01  
200304  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings (mm)  
FUJI POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Features  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
Maximum ratings and characteristic  
Absolute maximum ratings  
Foot Print Pattern  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
Ratings  
150  
Unit  
Equivalent circuit schematic  
V
Drain-source voltage  
VDS  
V
VDSX *5  
ID  
120  
±57  
D : Drain  
A
A
Continuous drain current  
±5.4  
**  
A
G : Gate  
Pulsed drain current  
Gate-source voltage  
ID(puls]  
VGS  
±228  
±30  
57  
V
A
Non-repetitive Avalanche current IAS *2  
mJ  
kV/µs  
kV/µs  
W
S1 : Source  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
EAS *1  
dVDS/dt *4  
dV/dt *3  
PD Ta=25  
Tc=25  
Tch  
272.5  
20  
S2 : Source  
5
°C  
°C  
2.4 **  
270  
Operating and storage  
temperature range  
+150  
-55 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
** Surface mounted on 1000mm2, t=1.6mm FR-4 PCB(Drain pad area : 500mm2)  
<
°C  
Ta=25  
*1 L=123µH, Vcc=48V, See to Avalanche Energy Graph  
*2 Tch 150°C  
=
<
<
<
<
*3 IF -ID, -di/dt=50A/µs, Vcc BVDSS, Tch 150°C  
*4 VDS  
150V  
*5 VGS=-30V  
=
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
150  
3.0  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Test Conditions  
Item  
µ
ID= 250 A  
VGS=0V  
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
V
µ
ID= 250 A  
VDS=VGS  
V
5.0  
25  
Tch=25°C  
µA  
VDS=150V VGS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
100  
41  
VDS=120V VGS=0V  
VGS=±30V VDS=0V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
nA  
10  
31  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
ID=20A VGS=10V  
mΩ  
S
13  
26  
ID=20A VDS=25V  
VDS=75V  
Ciss  
1940  
310  
24  
2910  
465  
36  
pF  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
VGS=0V  
Output capacitance  
f=1MHz  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
ns  
VCC=48V ID=20A  
20  
30  
26  
39  
VGS=10V  
50  
75  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
20  
30  
52  
78  
QG  
VCC=75V  
ID=40A  
nC  
Total Gate Charge  
15  
22.5  
27  
QGS  
QGD  
IAV  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
18  
VGS=10V  
µ
57  
L=123 H Tch=25°C  
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
1.10  
1.65  
VSD  
trr  
Qrr  
IF=40A VGS=0V Tch=25°C  
IF=40A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
V
0.14  
0.77  
µs  
µC  
Tch=25°C  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
0.463  
87.0  
52.0  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
channel to ambient  
Rth(ch-a) **  
** Surface mounted on 1000mm2, t=1.6mm FR-4 PCB(Drain pad area : 500mm2)  
1
1234

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