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2SK3580-01MR_03

更新时间： 2024-01-24 02:24:59
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富士电机 - FUJI /
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4页 110K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3580-01MR_03 数据手册

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2SK3580-01MR  
FUJI POWER MOSFET  
200304  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings [mm]  
Super FAP-G Series  
TO-220F  
Features  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
300  
Unit  
V
Drain-source voltage  
VDSX *5  
ID  
270  
±15  
±60  
±30  
15  
V
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
A
Equivalent circuit schematic  
ID(puls]  
VGS  
A
Gate-source voltage  
V
Repetitive or non-repetitive  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
IAR *2  
Drain(D)  
A
EAS*1  
155  
20  
mJ  
kV/µs  
kV/µs  
W
dVDS/dt *4  
dV/dt *3  
PD Ta=25  
Tc=25  
Tch  
5
°C  
°C  
2.16  
Gate(G)  
48  
Source(S)  
Operating and storage  
temperature range  
Isolation Voltage  
+150  
-55 to +150  
°C  
Tstg  
°C  
VISO *6  
2
<
kVrms  
*1 L=1.2mH, Vcc=48V, See to Avalanche Energy Graph *2 Tch=150°C  
<
<
<
<
*4 VDS 300V *5 VGS=-30V *6 t=60sec f=60Hz  
*3 IF=-ID, -di/dt=50A/µs, Vcc=BVDSS, Tch=150°C  
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Test Conditions  
Item  
µ
ID=250 A  
VGS=0V  
VDS=VGS  
V
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
300  
µ
ID= 250 A  
V
3.5  
4.5  
µA  
25  
Tch=25°C  
VDS=300V VGS=0V  
VDS=240V VGS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
nA  
VDS=0V  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
VGS=±30V  
ID=6A  
10  
100  
VGS=10V  
Ω
S
0.22  
10.5  
980  
170  
5.5  
0.28  
5
ID=6A VDS=25V  
VDS=25V  
Ciss  
pF  
1470  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
VGS=0V  
Output capacitance  
255  
11  
f=1MHz  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
ns  
VCC=150V ID=6A  
VGS=10V  
14.5  
6.5  
28  
29  
9.8  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
42  
RGS=10 Ω  
4
6
QG  
QGS  
QGD  
IAV  
nC  
VCC=150V  
ID=12A  
23  
34.5  
14.6  
11.2  
Total Gate Charge  
9.7  
5.6  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
VGS=10V  
L=1.0mH Tch=25°C  
15  
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
VSD  
trr  
Qrr  
1.20  
1.80  
V
IF=12A VGS=0V Tch=25°C  
IF=12A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
0.2  
µs  
µC  
1.80  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
2.6  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
58.0  
°C/W  
1
1234

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