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2SK3576-A

更新时间： 2024-11-09 14:50:03

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	66K
描述
4000mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-96, 3 PIN

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2SK3576-A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-96
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.16
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4 A	最大漏极电流 (ID)：	4 A
最大漏源导通电阻：	0.075 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e6
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.25 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn98Bi2)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3576-A 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3576

N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

FOR SWITCHING

DESCRIPTION

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

The 2SK3576 is a switching device which can be driven

directly by a 2.5 V power source.

The device features a low on-state resistance and excellent

switching characteristics, and is suitable for applications such

as power switch of portable machine and so on.

+0.1

–0.05

0.4

+0.1

–0.06

0.16

FEATURES

0 to 0.1

• 2.5V drive available

• Low on-state resistance

R^DS(on)1= 50 mΩ MAX. (V^GS= 4.5 V, I^D= 2.0 A)

R^DS(on)2= 53 mΩ MAX. (V^GS= 4.0 V, I^D= 2.0 A)

R^DS(on)3= 75 mΩ MAX. (V^GS= 2.5 V, I^D= 2.0 A)

0.65

0.95 0.95

1.9

0.9 to 1.1

2.9 ±0.2

ORDERING INFORMATION

: Gate

PART NUMBER

2SK3576

PACKAGE

2 : Source

3 : Drain

SC-96 (Mini Mold Thin Type)

Marking: XK

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^A= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

EQUIVALENT CIRCUIT

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T1

Drain

±12

±4.0

±16

0.2

Body

Diode

Gate

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C) ^Note2

Channel Temperature

°C

P^T2

1.25

150

Gate

Tch

Protection

Diode

Source

Storage Temperature

Tstg

–55 to +150 °C

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Mounted on FR-4 board, t ≤ 5 sec.

Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When

this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated

voltage may be applied to this device.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

2001

Document No.

Date Published May 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

D15939EJ1V0DS00 (1st edition)

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3576-L	RENESAS	获取价格	2SK3576-L
2SK3576-L-AT	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,4A I(D),SOT-346
2SK3576-T1B	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SK3576-T2B	RENESAS	获取价格	2SK3576-T2B
2SK3576-T2B-A	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,4A I(D),SOT-346
2SK3576-T2B-AT	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,4A I(D),SOT-346
2SK3577	NEC	获取价格	N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR HIGH SPEED SWITCHING
2SK3577(0)-T1B-A	RENESAS	获取价格	Nch Single Power Mosfet 30V 3.5A 63Mohm Tmm/Sc-96, TMM, /Embossed Tape
2SK3577-A	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK3577-L-A	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,3.5A I(D),SOT-346

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