是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.84 |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 3.5 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 1.25 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK3577-L-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,3.5A I(D),SOT-346 | |
2SK3577-T1B | RENESAS |
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2SK3577-T1B | |
2SK3577-T2B | RENESAS |
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2SK3577-T2B | |
2SK3577-T2B-A | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,3.5A I(D),SOT-346 | |
2SK3577-T2B-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,3.5A I(D),SOT-346 | |
2SK3579-01MR | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK358 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5 A, 250 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpose | |
2SK3580-01MR | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK3580-01MR_03 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK3581-01L | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |