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Datasheet > 暂无类别数据> 2SK3581-01L
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2SK3581-01L

更新时间： 2024-01-06 09:33:20
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI /
页数 文件大小 规格书
4页 255K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3581-01L 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.69
雪崩能效等级（Eas）：242 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (ID)：16 A最大漏源导通电阻：0.46 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：115 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：64 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3581-01L 数据手册

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2SK3581-01L,S,SJ  
200304  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
FUJI POWER MOSFET  
Outline Drawings [mm]  
Super FAP-G Series  
Features  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
P4  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
500  
Unit  
V
Drain-source voltage  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
Gate-source voltage  
Repetitive or non-repetitive  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
Equivalent circuit schematic  
A
ID  
±16  
±64  
±30  
16  
A
ID(puls]  
VGS  
V
Drain(D)  
A
IAR *2  
mJ  
kV/µs  
kV/µs  
W
EAS*1  
212.2  
20  
dVDS/dt *4  
dV/dt *3  
PD Ta=25  
Tc=25  
Tch  
5
Gate(G)  
°C  
°C  
1.67  
Source(S)  
225  
+150  
-55 to +150  
Operating and storage  
temperature range  
°C  
°C  
Tstg  
<
*1 L=1.52mH, Vcc=50V,Tch=25°C, See to Avalanche Energy Graph *2 Tch 150°C  
=
<
<
<
*4 VDS 500V  
=
<
*3 IF -ID, -di/dt=50A/µs, Vcc BVDSS, Tch 150°C  
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Test Conditions  
Item  
µ
ID= 250 A  
VGS=0V  
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
V
500  
µ
ID= 250 A  
VDS=VGS  
V
3.0  
5.0  
25  
Tch=25°C  
µA  
VDS=500V VGS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
100  
VDS=400V VGS=0V  
VGS=±30V VDS=0V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
nA  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
10  
ID=7A VGS=10V  
0.35  
0.46  
Ω
S
ID=7A VDS=25V  
VDS=25V  
7
14  
1600  
160  
7
Ciss  
2400  
240  
pF  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
VGS=0V  
Output capacitance  
f=1MHz  
10.5  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
ns  
VCC=300V ID=7A  
18  
27  
24  
50  
15  
50  
19  
16  
16  
VGS=10V  
td(off)  
tf  
35  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
8
33  
QG  
VCC=250V  
ID=14A  
nC  
Total Gate Charge  
12.5  
10.5  
QGS  
QGD  
IAV  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
VGS=10V  
16  
L=2.27mH Tch=25°C  
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
1.00  
1.50  
VSD  
trr  
Qrr  
IF=14A VGS=0V Tch=25°C  
IF=14A VGS=0V  
V
0.65  
6.0  
µs  
µC  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
0.556  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
75.0  
°C/W  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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