5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3580-01MR
2SK3580-01MR PDF预览

2SK3580-01MR

更新时间： 2024-02-25 18:22:04
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 100K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SK3580-01MR 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.74
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：155 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：300 V最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.28 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3580-01MR 数据手册

 浏览型号2SK3580-01MR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK3580-01MR的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK3580-01MR的Datasheet PDF文件第4页 
2SK3580-01MR  
FUJI POWER MOSFET  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings  
Super FAP-G Series  
TO-220F  
Features  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
300  
Unit  
V
Drain-source voltage  
VDSX *5  
ID  
270  
±12  
±48  
±30  
12  
V
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
A
Equivalent circuit schematic  
ID(puls]  
VGS  
A
Gate-source voltage  
V
Repetitive or non-repetitive  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
IAR *2  
Drain(D)  
A
EAS*1  
193  
20  
mJ  
kV/µs  
kV/µs  
W
dVDS/dt *4  
dV/dt *3  
PD Ta=25  
Tc=25  
Tch  
5
°C  
°C  
2.16  
Gate(G)  
35  
+150  
-55 to +150  
2
Source(S)  
Operating and storage  
temperature range  
Isolation Voltage  
°C  
Tstg  
°C  
VISO *6  
kVrms  
<
<
<
<
*1 L=2.32mH, Vcc=48V *2 Tch=150°C *3 IF=-ID, -di/dt=50A/µs, Vcc=BVDSS, Tch=150°C  
<
*4 VDS 300V *5 VGS=-30V *6 t=60sec f=60Hz  
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Test Conditions  
Item  
µ
ID=250 A  
VGS=0V  
VDS=VGS  
V
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
300  
µ
ID= 250 A  
V
3.5  
4.5  
µA  
25  
Tch=25°C  
VDS=300V VGS=0V  
VDS=240V VGS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
nA  
VDS=0V  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
VGS=±30V  
ID=6A  
10  
100  
VGS=10V  
Ω
S
1.22  
10.5  
980  
170  
5.5  
0.28  
5
ID=6A VDS=25V  
VDS=25V  
Ciss  
pF  
1470  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
VGS=0V  
Output capacitance  
255  
11  
f=1MHz  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
ns  
VCC=150V ID=6A  
VGS=10V  
14.5  
6.5  
28  
29  
9.8  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
42  
RGS=10 Ω  
4
6
QG  
QGS  
QGD  
IAV  
nC  
VCC=150V  
ID=12A  
23  
34.5  
14.6  
11.2  
Total Gate Charge  
9.7  
5.6  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
VGS=10V  
µ
L=100 H Tch=25°C  
12  
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
VSD  
trr  
Qrr  
1.20  
1.80  
V
IF=12A VGS=0V Tch=25°C  
IF=12A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
0.2  
µs  
µC  
1.80  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
3.57  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
58.0  
°C/W  
1
1234

中文翻译

下载PDF

与2SK3580-01MR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3580-01MR_03 FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3581-01L FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3581-01S FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3581-01SJ FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3582MFV-A TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 0.34 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, 2-1L1C, 3 PIN, FET General Purpose
2SK3582MFV-B TOSHIBA

获取价格

 		暂无描述
2SK3582TK TOSHIBA

获取价格

 		Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type For ECM
2SK3582TK-A TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 0.34 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, LEAD FREE, 2-1R1A, TESM3, 3 PIN, FE
2SK3582TK-B TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 0.34 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, LEAD FREE, 2-1R1A, TESM3, 3 PIN, FE
2SK3582TV TOSHIBA

获取价格

 		Silicon N Channel Junction Type For ECM

与2SK3580-01MR相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证