2SK3574-S

更新时间： 2024-11-08 22:52:59

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描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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2SK3574-S 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-262AA	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.31
雪崩能效等级（Eas）：	36 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	48 A	最大漏源导通电阻：	0.0135 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	140 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3574-S 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3574

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

★ ORDERING INFORMATION

The 2SK3574 is N-channel MOS FET device that

features a low on-state resistance and excellent switching

characteristics, designed for low voltage high current

applications such as DC/DC converter with synchronous

rectifier.

PART NUMBER

2SK3574

PACKAGE

TO-220AB

2SK3574-S

2SK3574-ZK

2SK3574-Z

TO-262

TO-263

TO-220SMD^Note

FEATURES

Note TO-220SMD package is produced only in Japan.

•4.5V drive available

•Low on-state resistance

R^DS(on)1= 13.5 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 24 A)

•Low gate charge

Q^G= 22 nC TYP. (V^DD= 24 V, V^GS= 10 V, I^D= 48 A)

•Built-in gate protection diode

•Avalanche capability ratings

•Surface mount device available

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T1

±20

±48

Note1

±140

1.5

Drain Current (pulse)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Channel Temperature

°C

P^T2

Tch

150

Storage Temperature

Tstg

–55 to +150

Note2

I^AS

Single Avalanche Current

Note2

E^AS

Single Avalanche Energy

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, V^DD= 15 V, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 → 0 V

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16260EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published September 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark ! shows major revised points.

2002

12 3 4 5 6 7 8

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与2SK3574-S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3574-Z	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3574-Z	RENESAS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2SK3574-ZK	RENESAS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2SK3574-ZK	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3574-ZK-AZ	RENESAS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2SK3574-ZK-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2SK3575	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3575	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3575	TYSEMI	获取价格	4.5V drive available. Low on-state resistance, RDS(on)1 = 4.5m MAX Low gate charge
2SK3575-S	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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