2SK3574-S

更新时间： 2024-01-24 22:37:36

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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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2SK3574-S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	MP-25ZK, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.69	雪崩能效等级（Eas）：	36 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	48 A
最大漏源导通电阻：	0.0135 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	140 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3574-S 数据手册

2SK3574

DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.

CHANNEL TEMPERATURE

CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE

10000

V^GS= 0 V

f = 1 MHz

I^D= 24 A

Pulsed

V^GS=4.5 V

C ^iss

1000

100

C ^oss

10 V

C ^rss

0.01

0.1

100

-50

100

150

V^DS- Drain to Source Voltage - V

T^ch- Channel Temperature - °C

SWITCHING CHARACTERISTICS

DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS

1000

V^DD= 15 V

V^GS= 10 V

R^G= 10 Ω

V^DD= 24 V

15 V

6 V

100

t^d(off)

t^r

t^d(on)

V^GS

t^f

V^DS

I^D= 48 A

0.1

100

Q^G- Gate Change - nC

I^D- Drain Current - A

SOURCE TO DRAIN DIODE

FORWARD VOLTAGE

REVERSE RECOVERY TIME vs.

DRAIN CURRENT

1000

100

1000

100

di/dt = 100 A/µs

= 0 V

V^GS= 10 V

0 V

0.1

0.01

Pulsed

1.5

0.5

0.1

100

V^F(S-D)- Source to Drain Voltage - V

I^D- Drain Current - A

Data Sheet D16260EJ2V0DS

1 2 3 456 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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2SK3574-ZK	RENESAS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2SK3574-ZK	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
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