2SK3574-S

更新时间： 2024-02-11 03:34:14

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8页	88K
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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2SK3574-S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	MP-25ZK, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.69	雪崩能效等级（Eas）：	36 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	48 A
最大漏源导通电阻：	0.0135 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	140 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3574-S 数据手册

2SK3574

TYPICAL CHARACTERISTICS (T^A= 25°C)

DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS

SAFE OPERATING AREA

TOTAL POWER DISSIPATION vs.

CASE TEMPERATURE

120

100

125

150

175

50 75 100 125 150 175

T^C- Case Temperature - °C

FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA

1000

100

T^C= 25°C Single pulse

I^D(pulse)

PW = 10 µs

R^DS(on)

Limited

100 µs

I^D(DC)

1 ms

Power Disspasion

Limited

10 ms

0.1

100

V^DS- Drain to Source Voltage - V

TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH

100

R^th(ch-A)= 83.3°C/W

R^th(ch-C)= 4.31°C/W

0.1

0.01

Single pulse

100 1000

10 µ

100 µ

1 m

10 m

100 m

PW - Pulse Width - s

Data Sheet D16260EJ2V0DS

1 234 5 6 7 8

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与2SK3574-S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3574-Z	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3574-Z	RENESAS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2SK3574-ZK	RENESAS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2SK3574-ZK	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3574-ZK-AZ	RENESAS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2SK3574-ZK-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2SK3575	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3575	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3575	TYSEMI	获取价格	4.5V drive available. Low on-state resistance, RDS(on)1 = 4.5m MAX Low gate charge
2SK3575-S	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET