2SK3574

更新时间： 2024-01-11 11:04:22

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描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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2SK3574 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	MP-25ZK, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.69	雪崩能效等级（Eas）：	36 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	48 A
最大漏源导通电阻：	0.0135 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	140 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3574 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3574

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

★ ORDERING INFORMATION

The 2SK3574 is N-channel MOS FET device that

features a low on-state resistance and excellent switching

characteristics, designed for low voltage high current

applications such as DC/DC converter with synchronous

rectifier.

PART NUMBER

2SK3574

PACKAGE

TO-220AB

2SK3574-S

2SK3574-ZK

2SK3574-Z

TO-262

TO-263

TO-220SMD^Note

FEATURES

Note TO-220SMD package is produced only in Japan.

•4.5V drive available

•Low on-state resistance

R^DS(on)1= 13.5 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 24 A)

•Low gate charge

Q^G= 22 nC TYP. (V^DD= 24 V, V^GS= 10 V, I^D= 48 A)

•Built-in gate protection diode

•Avalanche capability ratings

•Surface mount device available

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T1

±20

±48

Note1

±140

1.5

Drain Current (pulse)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Channel Temperature

°C

P^T2

Tch

150

Storage Temperature

Tstg

–55 to +150

Note2

I^AS

Single Avalanche Current

Note2

E^AS

Single Avalanche Energy

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, V^DD= 15 V, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 → 0 V

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16260EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published September 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark ! shows major revised points.

2002

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK3574-AZ	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,48A I(D),TO-220AB	获取价格
2SK3574-S	NEC	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
2SK3574-Z	NEC	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
2SK3574-Z	RENESAS	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
2SK3574-ZK	RENESAS	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 30V, 0.0135ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
2SK3574-ZK	NEC	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格

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