2SK3571

更新时间： 2024-01-30 19:53:24

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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8页	84K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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2SK3571 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-263	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.31	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	48 A	最大漏源导通电阻：	0.009 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e6
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	192 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3571 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3571

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

★

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

The 2SK3571 is N-channel MOS FET device that features a

low on-state resistance and excellent switching characteristics,

designed for low voltage high current applications such as

DC/DC converter with synchronous rectifier.

PART NUMBER

2SK3571

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SK3571-S

2SK3571-ZK

2SK3571-Z

TO-263

Note

FEATURES

TO-220SMD

•4.5V drive available.

Note TO-220SMD package is produced only in Japan.

•Low on-state resistance,

R^DS(on)1= 9.0 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 24 A)

•Low gate charge

Q^G= 21 nC TYP. (V^DD= 16 V, V^GS= 10 V, I^D= 48 A)

•Built-in gate protection diode

•Surface mount device available

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

V^DSS

V^GSS

±20

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T1

±48

±192

1.5

Note

Drain Current (pulse)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Channel Temperature

°C

P^T2

T^ch

150

Storage Temperature

Tstg

−55 to +150

°C

Note PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

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Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16257EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published September 2002 NS CP (K)

Printed in Japan

The mark ! shows major revised points.

2002

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK3571-AZ	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,48A I(D),TO-220AB	获取价格
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2SK3571-ZK-AZ	NEC	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 20V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
2SK3572	NEC	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格