2SK3572-Z

更新时间： 2024-11-05 22:52:59

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	81K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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2SK3572-Z 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	MP-25Z, TO-220SMD, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.71	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	80 A
最大漏源导通电阻：	0.0099 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3572-Z 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3572

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

★

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

The 2SK3572 is N-channel MOS FET device that features a

low on-state resistance and excellent switching characteristics,

designed for low voltage high current applications such as

DC/DC converter with synchronous rectifier.

PART NUMBER

2SK3572

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SK3572-S

2SK3572-ZK

2SK3572-Z

TO-263

TO-220SMD ^Note

FEATURES

Note TO-220SMD package is produced only in Japan.

• 4.5 V drive available

• Low on-state resistance

R^DS(on)1= 5.7 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 40 A)

• Low gate charge

Q^G= 32 nC TYP. (V^DD= 16 V, V^GS= 10 V, I^D= 80 A)

• Built-in gate protection diode

• Surface mount device available

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T1

±20

±80

±300

1.5

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Channel Temperature

°C

P^T2

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

–55 to +150

°C

Note PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. D16258EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published September 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark ★ shows major revised points.

2002

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3572-Z-AZ	NEC	获取价格	暂无描述
2SK3572-ZK	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3572-ZK-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 20V, 0.0099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2SK3573	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3573	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3573	TYSEMI	获取价格	4.5V drive available. Low on-state resistance, RDS(on)1 = 4.0m MAX. Low gate charge
2SK3573-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3573-AZ
2SK3573-S	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3573-Z	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
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