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2SK3572

更新时间： 2024-01-15 12:27:43

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描述
MOS Field Effect Transistor

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2SK3572 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	MP-25ZK, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	80 A
最大漏源导通电阻：	0.0099 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3572 数据手册

SMD Type

MOSFET

MOS Field Effect Transistor

2SK3572

TO-263

Unit: mm

+0.2

4.57

-0.2

+0.1

1.27

-0.1

Features

4.5V drive available.

Low on-state resistance,

R^DS(on)1= 5.7m MAX. (VGS = 10 V, ID = 40A)

Low gate charge

+0.1

-0.1

0.1max

1.27

+0.1

0.81

-0.1

Q^G= 32 nC TYP. (VDD = 16 V, VGS = 10 V, ID = 80 A)

Built-in gate protection diode

2.54

1 Gate

+0.2

2.54

-0.2

+0.1

5.08

-0.1

+0.2

0.4

-0.2

2 Drain

3 Source

Surface mount device available

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain to source voltage

Symbol

V^DSS

V^GSS

I^D

Rating

Unit

Gate to source voltage

Drain current

I^dp*

300

Power dissipation

TC=25

T^A=25

P^D

1.5

150

Channel temperature

Storage temperature

T^ch

Tstg

-55 to +150

* PW 10 s,Duty Cycle 1%

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Drain cut-off current

Symbol

I^DSS

Testconditons

Min

Typ

Max

Unit

VDS=20V,VGS=0

VGS= 20V,VDS=0

VDS=10V,ID=1mA

VDS=10V,ID=40A

VGS=10V,ID=40A

VGS=4.5V,ID=40A

Gate leakage current

Gate cut off voltage

I^GSS

V^GS(off)

1.5

2.5

Forward transfer admittance

Yfs

R^DS(on)1

RDS(on)2

Ciss

C^oss

C^rss

t^on

4.4

7.4

1700

700

250

5.7

9.9

Drain to source on-state resistance

Input capacitance

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

V^DS=10V,VGS=0,f=1MHZ

t^r

I^D=40A,VGS(on)=10V,RG=10 ,VDD=10V

Turn-off delay time

Fall time

t^off

Total Gate Charge

Gate to Source Charge

Gate to Drain Charge

Q^G

VDD = 16 V

V^GS= 10 V

I^D= 80 A

Q^GS

Q^GD

7.1

7.7

www.kexin.com.cn

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK3572-AZ	NEC	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 20V, 0.0099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
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