2SK3566

更新时间： 2024-01-21 20:27:47

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		晶体稳压器开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
6页	249K
描述
Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SK3566 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-67
包装说明：	2-10U1B, SC-67, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.22
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	216 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	900 V	最大漏极电流 (ID)：	2.5 A
最大漏源导通电阻：	6.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	7.5 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3566 数据手册

2SK3566

– t

Duty=0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

SINGLE PULSE

0.01

DuDtyut=yt=/Tt/T

R R = 3=.112.255°C°C/W/W

tht(hch(c-ch)-c)

0.001

10μ

100μ

1ｍ

10ｍ

100ｍ

PULSE WIDTH

(s)

SAFE OPERATING AREA

– T

100

250

200

150

100

max (PULSED) *

100 μs *

max (CONTINUOUS) *

1 ms *

DC OPERATION

Tc = 25°C

0.1

※

SINGLE NONREPETITIVE PULSE Tc=25℃

CURVES MUST BE DERATED LINEARLY WITH

100

125

150

INCREASE IN TEMPERATURE.

max

DSS

0.01

CHANNEL TEMPERATURE (INITIAL)

(°C)

100

1000

10000

DRAIN-SOURCE VOLTAGE

(V)

VDSS

15 V

−15 V

TEST CIRCUIT

WAVE FORM

⎛

⎜

⎝

⎞

⎟

⎠

= 25 Ω

VDSS

⋅L⋅I ⋅

−

= 90 V, L = 43.4mH

VDSS

2006-11-10

1 2 3 456

下载PDF

与2SK3566相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK3566(Q)	TOSHIBA	暂无描述	获取价格
2SK3566_10	TOSHIBA	Switching Regulator Applications	获取价格
2SK3567	TOSHIBA	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSVI)	获取价格
2SK3567_06	TOSHIBA	Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications	获取价格
2SK3567_09	TOSHIBA	Switching Regulator Applications	获取价格
2SK3568	TOSHIBA	Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications	获取价格