2SK3566

更新时间： 2024-01-20 13:18:35

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东芝 - TOSHIBA		晶体稳压器开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
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描述
Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications

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2SK3566 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	SC-67
包装说明：	2-10U1B, SC-67, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.22
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	216 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	900 V	最大漏极电流 (ID)：	2.5 A
最大漏源导通电阻：	6.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	7.5 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3566 数据手册

2SK3566

– Tc

– V

DS (ON)

COMMON SOURCE

Tc = 25°C

COMMON SOURCE

PULSE TEST

= 1.5A

0.5

0.3

= 10 V

0.8

= 0V

0.1

−0.4

−0.8

−1.2

−1.6

−80

−40

120

160

100

200

CASE TEMPERATURE Tc (°C)

DRAIN-SOURCE VOLTAGE

(V)

CAPACITANCE – V

– Tc

1000

100

iss

oss

COMMON SOURCE

= 10 V

COMMON SOURCE

= 0 V

rss

= 1 mA

f = 1 MHz

Tc = 25°C

PULSE TEST

0.1

−80

−40

120

160

DRAIN-SOURCE VOLTAGE

(V)

CASE TEMPERATURE Tc (°C)

DYNAMIC INPUT / OUTPUT

CHARACTERISTICS

– Tc

500

400

300

200

100

200

= 100 V

COMMON SOURCE

= 2.5 A

400

Tc = 25°C

PULSE TEST

120

160

CASE TEMPERATURE Tc (°C)

TOTAL GATE CHARGE

(nC)

2006-11-10

1 2 345 6

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