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2SK3562

更新时间： 2024-09-12 21:53:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 234K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSVI)

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2SK3562 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Lifetime Buy零件包装代码：SC-67
包装说明：2-10U1B, SC-67, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.33
雪崩能效等级（Eas）：345 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：1.25 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：240
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3562 数据手册

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2SK3562  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSVI)  
2SK3562  
Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
Low drain-source ON resistance: R  
= 0.9Ω (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 5.0S (typ.)  
fs  
= 100 μA (V  
Low leakage current: I  
= 600 V)  
DS  
DSS  
Enhancement mode: V = 2.0~4.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
Maximum Ratings  
=
(Ta 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-source voltage  
V
600  
600  
±30  
6
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
= 20 kΩ)  
V
DGR  
GS  
Gate-source voltage  
V
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulse (t = 1 ms)  
I
24  
40  
DP  
(Note 1)  
1: Gate  
2: Drain  
3: Source  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
W
D
AS  
AR  
Single pulse avalanche energy  
E
345  
mJ  
(Note 2)  
Avalanche current  
I
6
4
A
JEDEC  
JEITA  
―
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
SC-67  
2-10U1B  
Weight : 1.7 g (typ.)  
T
150  
ch  
TOSHIBA  
Storage temperature range  
T
-55~150  
stg  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
2
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
R
3.125  
62.5  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
th (ch-a)  
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150℃.  
Note 2:  
= 90 V, T = 25°C(initial), L = 16.8 mH, I = 6 A, R = 25 Ω  
V
DD  
1
ch AR  
G
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Please handle with caution.  
3
1
2004-07-01  
123456

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2SK3562 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP6NK60ZFP STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 600V - 1ohm - 6A TO-220/TO-220FP/D2
STP14NK60ZFP STMICROELECTRONICS

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