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2SK3557

更新时间： 2024-09-15 21:55:15
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三洋 - SANYO 放大器
页数 文件大小 规格书
4页 38K
描述
Low-Noise HF Amplifier Applications

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2SK3557 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.32配置：SINGLE
最大漏极电流 (ID)：0.05 AFET 技术：JUNCTION
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3557 数据手册

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Ordering number : ENN7169  
N-Channel Junction Silicon FET  
2SK3557  
Low-Noise HF Amplifier Applications  
Preliminary  
Applications  
Package Dimensions  
unit : mm  
•
AM tuner RF amplifier.  
•
Low noise amplifier.  
2050A  
[2SK3557]  
Features  
•
0.4  
Large yfs .  
0.16  
3
•
Small Ciss.  
•
0 to 0.1  
Ultrasmall-sized package permitting 2SK3557-  
applied sets to be made smaller and slimer.  
Ultralow noise figure.  
•
0.95  
0.95  
2
1
1.9  
2.9  
1 : Source  
2 : Drain  
3 : Gate  
SANYO : CP  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
15  
DSX  
Gate-to-Drain Voltage  
Gate Current  
V
--15  
V
GDS  
I
G
10  
50  
mA  
mA  
mW  
°C  
Drain Current  
I
D
Allowable Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
P
200  
D
Tj  
Tstg  
150  
--55 to +150  
°C  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
max  
Gate-to-Drain Breakdown Voltage  
Gate Cutoff Current  
Cutoff Voltage  
V
I
=--10µA, V =0  
--15  
V
nA  
V
(BR)GDS  
G DS  
I
V
=--10V, V =0  
DS  
--1.0  
--1.5  
GSS  
(off)  
GS  
DS  
V
V
=5V, I =100µA  
--0.3  
--0.7  
GS  
D
Marking : IR  
Continued on next page.  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
60502 TS IM TA-3622 No.7169-1/4  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3557_12 SANYO

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 		High-Frequency Low-Noise Amplifi er Applications
2SK3557-6 ONSEMI

获取价格

 		TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,10MA I(DSS),SOT-23
2SK3557-6-TB-E SANYO

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 		High-Frequency Low-Noise Amplifi er Applications
2SK3557-6-TB-E ONSEMI

获取价格

 		N 沟道 JFET，15V，10 至 32mA，35mS，CP
2SK3557-7-TB-E SANYO

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2SK3559 PANASONIC

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 		Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 230V, 0.074ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2SK356 ETC

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2SK3560 PANASONIC

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 		Silicon N-channel power MOSFET For PDP/For high-speed switching
2SK3560 KEXIN

获取价格

 		Silicon N-channel power MOSFET

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