2SK3560

更新时间： 2024-09-12 22:52:59

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	76K
描述
Silicon N-channel power MOSFET For PDP/For high-speed switching

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SK3560 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220CG1
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.82
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	230 V	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.074 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3560 数据手册

Power MOSFETs

2SK3560

Silicon N-channel power MOSFET

Unit: mm

4.6 0.2

10.5 0.3

1.4 0.1

For PDP/For high-speed switching

■ Features

• Low on-resistance, low Q_g

• High avalanche resistance

1.4 0.1

2.5 0.2

0.8 0.1

2.54 0.3

0 to 0.3

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

(10.2)

(8.9)

Parameter

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Rating

Unit

Drain-source surrender voltage

Gate-source surrender voltage

230

Drain current

1: Gate

2: Drain

3: Source

Peak drain current

I_DP

120

P_D

Power

TO-220C-G1 Package

dissipation

T_a= 25°C

Channel temperature

Storage temperature

T_ch

150

°C

Internal Connection

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Gate-drain surrender voltage

Diode forward voltage

Symbol

V_DSS

V_DSF

V_th

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

I_D= 1 mA, V_GS= 0

I_DR= 30 A, V_GS= 0

V_DS= 25 V, I_D= 1 mA

V_DS= 184 V, V_GS= 0

230

−1.5

Gate threshold voltage

Drain-source cutoff current

Gate-source cutoff currentt

Drain-source on resistance

Forward transfer admittance

I_DSS

100

µA

mΩ

I_GSS

V_GS= 30 V, V_DS= 0

R_DS(on)V_GS= 10 V, I_D= 15 A

Y_fs

V_DS= 25 V, I_D= 15 A

Short-circuit forward transfer capacitance

(Common-source)

C_iss

V_DS= 25 V, V_GS= 0, f = 1 MHz

2330

Short-circuit output capacitance

(Common-source)

C_oss

C_rss

356

Reverse transfer capacitance

(Common-source)

Turn-on delay time

Rise time

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

V_DD≈ 100 V, I_D= 15 A

R_L≈ 6.7 Ω, V_GS= 10 V

Turn-off delay time

Fall time

221

Reverse recovery time

Reverse recovery charge

t_rr

L = 230 µH, V_DD= 100 V

164

853

Q_rr

I_DR= 15 A, di /dt = 100 A/ µs

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: February 2004

SJG00033AED

12 3

中文翻译

下载PDF

与2SK3560相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3561	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (MOSVI)
2SK3561(Q)	TOSHIBA	获取价格	暂无描述
2SK3561_06	TOSHIBA	获取价格	Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications
2SK3561_09	TOSHIBA	获取价格	Switching Regulator Applications
2SK3562	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSVI)
2SK3562_06	TOSHIBA	获取价格	Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications
2SK3562_10	TOSHIBA	获取价格	Switching Regulator Applications
2SK3563	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOS?)
2SK3563(Q)	TOSHIBA	获取价格	MOSFETs N-Ch 500V 5A Rdson 1.5 Ohm
2SK3563_06	TOSHIBA	获取价格	Silicon N Channel MOS Type Switching Regulator Applications

与2SK3560相关文章

SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

78
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

69
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

99
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

113

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SK3560

2SK3560 技术参数

2SK3560 数据手册

与2SK3560相关器件

与2SK3560相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

2SK3560

2SK3560 技术参数

2SK3560 数据手册

与2SK3560相关器件

与2SK3560相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？