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2SB1690TL

更新时间： 2024-09-23 19:42:43
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 56K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TSMT3, 3 PIN

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2SB1690TL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-96
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75Factory Lead Time：13 weeks
风险等级：1.74最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：12 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：270JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：360 MHzBase Number Matches：1

2SB1690TL 数据手册

 浏览型号2SB1690TL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB1690TL的Datasheet PDF文件第3页 
2SB1690  
Transistors  
General purpose amplification(−12V, −2A)  
2SB1690  
zApplications  
Low frequency amplifier  
Deiver  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
TSMT3  
1.0MAX  
2.9  
0.85  
0.7  
0.4  
zFeatures  
1) A collector current is large.  
2) Collector saturation voltage is low.  
(
(
)
)
3
( )  
2
1
V
CE(sat) : max. −180mV  
0.95 0.95  
1.9  
0.16  
at I  
C
= −1A / I = −50mA  
B
(1) Base  
(2) Emitter  
(3) Collector  
Each lead has same dimensions  
zPackaging specifications  
Package  
Taping  
TL  
Type  
Code  
Basic ordering  
unit (pieces)  
3000  
2SB1690  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
−15  
−12  
V
−6  
V
I
C
−2  
A
Collector current  
∗1  
I
CP  
−4  
A
∗2  
∗3  
0.5  
W
W
°C  
°C  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
PC  
1
Tj  
150  
Storage temperature  
Tstg  
−55 to +150  
∗1 Single pulse Pw=1ms  
∗2 Each terminal mounted on a recommended land  
∗3 Mounted on a 25mm×25mm×t0.8mm ceramic substrate  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Typ.  
Max.  
−
Unit  
Conditions  
Min.  
−15  
−12  
−6  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown viltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
−
−
−
−
−
V
V
I
I
I
C
=−10µA  
=−1mA  
−
C
−
V
E
=−10µA  
CB=−15V  
EB=−6V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−100  
−100  
nA  
nA  
mV  
−
V
V
Emitter cutoff current  
I
−
−
Collerctor-emitter saturation voltage  
DC current transfer ratio  
V
−120 −180  
IC  
=−1A, I  
B
=−50mA  
=−200mA  
=200mA, f=100MHz  
=0mA, f=1MHz  
∗
h
270  
−
680  
−
V
V
V
CE=−2V, I  
C
∗
Transition frequency  
fT  
−
−
360  
15  
MHz  
pF  
CE=−2V, I  
E
Output capacitance  
Cob  
−
CB=−10V, I  
E
Pulsed  
∗
Rev.B  
1/2  
123

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2SB1690TL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SB1690KT146 ROHM

类似代替

 Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SMT3, SC-
2SB1730TL ROHM

类似代替

 暂无描述
US6T6TR ROHM

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TUMT6, 6

与2SB1690TL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SB1691 RENESAS

获取价格

 		Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier
2SB1691_11 RENESAS

获取价格

 		Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier
2SB1691WL RENESAS

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 		Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier
2SB1691WL-TL-E RENESAS

获取价格

 		Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier
2SB1691WL-TL-H RENESAS

获取价格

 		Silicon PNP Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier
2SB1693 PANASONIC

获取价格

 		Silicon PNP epitaxial planar type
2SB1694 ROHM

获取价格

 		General purpose amplification (−30V, −1A)
2SB1694 CJ

获取价格

 		SOT-323
2SB1694 BL Galaxy Electrical

获取价格

 		30V,1A,Medium Power PNP Bipolar Transistor
2SB1694_09 ROHM

获取价格

 		General purpose amplification (?30V, ?1A)

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