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2SB1693

更新时间： 2024-11-10 22:52:39

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松下 - PANASONIC		/
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3页	82K
描述
Silicon PNP epitaxial planar type

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2SB1693 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-59
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.82
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	170 MHz	Base Number Matches：	1

2SB1693 数据手册

Transistors

2SB1693

Silicon PNP epitaxial planar type

For general amplification

Unit: mm

+0.10

–0.05

0.40

+0.10

–0.06

0.16

■ Features

• Large collector current I_C

• Mini type package, allowing downsizing of the equipment and auto-

matic insertion through the tape packing and the magazine packing

(0.95) (0.95)

1.9 0.1

+0.20

2.90

–0.05

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

10˚

Parameter

Symbol

Rating

−40

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

Emitter-base voltage (Collector open) V_EBO

1: Base

2: Emitter

3: Collector

−20

−15

EIAJ: SC-59

Mini3-G1 Package

Collector current

I_C

I_CP

P_C

T_j

− 0.5

−1

Peak collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

200

°C

Marking Symbol: 3D

150

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

h_FE1

Conditions

Min

−40

−20

−15

160

100

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Forward current transfer ratio ^*

I_C= −10 µA, I_E= 0

I_C= −2 mA, I_B= 0

I_E= −10 µA, I_C= 0

V_CE= −2 V, I_C= −100 mA

V_CE= −2 V, I_C= −500 mA

560



h_FE2

Collector-emitter saturation voltage ^*

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= −100 mA, I_B= −10 mA

I_C= − 0.5 A, I_B= −25 mA

−60

−300

−210 −500

f_T

V_CB= −5 V, I_E= 50 mA, f = 200 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

170

MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. : Pulse measurement

Publication date: September 2003

SJC00292AED

12 3

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